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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利静电保护结构、静电保护电路、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664811B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011538427.9，技术领域涉及：H01L27/02；该发明授权静电保护结构、静电保护电路、芯片是由许杞安设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护结构、静电保护电路、芯片在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、静电保护电路、芯片，该静电保护结构包括半导体衬底、第一N型阱、第一P型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部。半导体衬底包括第一集成区；第一N型阱位于第一集成区；第一P型阱位于第一集成区，且与第一N型阱相邻设置；第一N型掺杂部位于第一N型阱内；第一P型掺杂部位于第一N型阱内，且第一P型掺杂部位于第一N型掺杂部靠近第一P型阱的一侧；第二N型掺杂部位于第一P型阱内；第二P型掺杂部位于第二N型掺杂部远离第一N型阱的一侧；其中，第一N型掺杂部与第二P型掺杂部电连接。该静电保护结构具有较小的触发电压。

本发明授权静电保护结构、静电保护电路、芯片在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，包括：半导体衬底，包括第一集成区；第一N型阱，位于所述第一集成区；第一P型阱，位于所述第一集成区，且与所述第一N型阱相邻设置；第一N型掺杂部，位于所述第一N型阱内；第一P型掺杂部，位于所述第一N型阱内，且所述第一P型掺杂部位于所述第一N型掺杂部靠近所述第一P型阱的一侧；第二N型掺杂部，位于所述第一P型阱内；第二P型掺杂部，位于所述第一P型阱内，且位于所述第二N型掺杂部远离所述第一N型阱的一侧；其中，所述第一N型掺杂部与所述第二P型掺杂部电连接；所述半导体衬底还包括第二集成区，所述第一集成区和所述第二集成区间隔设置，所述静电保护结构还包括：第二N型阱，位于所述第二集成区；第二P型阱，位于所述第二集成区，且与所述第二N型阱相邻设置；第三N型掺杂部，位于所述第二N型阱内；第三P型掺杂部，位于所述第二N型阱内，且所述第三P型掺杂部位于所述第三N型掺杂部靠近所述第二P型阱的一侧；第四N型掺杂部，位于所述第二P型阱内；第四P型掺杂部，位于所述第二P型阱内，且位于所述第四N型掺杂部远离所述第二N型阱的一侧；其中，所述第三N型掺杂部与所述第四P型掺杂部电连接，所述第二N型掺杂部与所述第三P型掺杂部电连接；所述静电保护结构还包括：第三P型阱，位于所述第一集成区，且位于所述第一N型阱远离所述第一P型阱的一侧，所述第三P型阱与所述第一N型阱相邻设置；第五P型掺杂部，位于所述第一N型阱内，且所述第五P型掺杂部位于所述第一N型掺杂部远离所述第一P型掺杂部的一侧；第五N型掺杂部，位于所述第三P型阱内；第六P型掺杂部，位于所述第三P型阱内，且所述第六P型掺杂部位于所述第五N型掺杂部远离所述第一N型阱的一侧；其中，所述第一N型掺杂部与所述第六P型掺杂部电连接。

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