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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257315B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110162675.6，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法是由张盟昇;杨耀仁;吴旻信设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法在说明书摘要公布了：一种记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法，记忆体位元单元包含第一记忆体单元，其是包括第一反熔丝晶体管及第一选择晶体管，第一反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第一选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第一反熔丝晶体管的存取；第二记忆体单元，其是包括第二反熔丝晶体管及第二选择晶体管，第二反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第二选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第二反熔丝晶体管的存取；第一字元线，以选择性地提供第一信号；第二字元线，以选择性地提供第二信号；及位元线，以感测第一状态或第二状态。

本发明授权记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种记忆体位元单元，其特征在于，包含：一第一记忆体单元，包括电性串联的一第一反熔丝晶体管及一第一选择晶体管，其中该第一反熔丝晶体管是对应一第一信号而选择为一第一状态或一第二状态，且该第一选择晶体管是配置以对应一第二信号而提供该第一反熔丝晶体管的存取；一第二记忆体单元，包括电性串联的一第二反熔丝晶体管及一第二选择晶体管，其中该第二反熔丝晶体管是对应该第一信号而选择为该第一状态或该第二状态，且该第二选择晶体管是配置以对应该第二信号而提供该第二反熔丝晶体管的存取；一第一字元线，连接至该第一反熔丝晶体管的一栅极端子及该第二反熔丝晶体管的一栅极端子，以选择性地提供该第一信号至该第一反熔丝晶体管及该第二反熔丝晶体管；一第二字元线，连接至该第一选择晶体管的一栅极端子及该第二选择晶体管的一栅极端子，以选择性地提供该第二信号至该第一选择晶体管及该第二选择晶体管，其中该第一字元线以及该第二字元线分别是一第一栅极条以及一第二栅极条；以及一金属轨道层，包含一第一金属轨道以及一第二金属轨道，其中该第一金属轨道电性连接至该第一字元线，该第二金属轨道电性连接至该第一选择晶体管及该第二选择晶体管，以感测该第一反熔丝晶体管及该第二反熔丝晶体管的该第一状态或该第二状态，其中该第一金属轨道的一延伸方向垂直于该第二金属轨道的一延伸方向。

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