纳晶科技股份有限公司周健海获国家专利权
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龙图腾网获悉纳晶科技股份有限公司申请的专利纳米晶、其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113061428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110324679.X，技术领域涉及：C09K11/02；该发明授权纳米晶、其制备方法及应用是由周健海;贾轩睿设计研发完成，并于2021-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米晶、其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种纳米晶、其制备方法及应用，该纳米晶包括：半导体材料的芯；二氧化硅层，位于所述芯表面上；配体层，位于所述二氧化硅层的远离所述芯的表面上，所述配体层包括第一配体，所述第一配体包括金属盐。本申请解决了现有技术中二氧化硅包覆纳米晶的荧光量子产率低的问题，并且提高了二氧化硅包覆纳米晶的抗光照性能。
本发明授权纳米晶、其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种纳米晶的制备方法，其特征在于，包括：S1，提供作为芯的第一半导体纳米晶；S2，将所述第一半导体纳米晶、硅酸盐、酸和有机溶剂在容器中混合并加热反应，反应结束后在所述芯表面上形成二氧化硅层和金属盐，所述金属盐至少部分位于所述二氧化硅层的远离所述芯的表面上作为所述纳米晶的配体层的第一配体；其中，所述有机溶剂包括用于分散所述第一半导体纳米晶的第一有机溶剂和能够溶解所述硅酸盐的第二有机溶剂，所述S2的各个原料中无人为添加的水；在所述第一半导体纳米晶加入所述容器之前，所述酸和所述硅酸盐无接触；所述S2包括：将所述第一半导体纳米晶、所述酸和所述第一有机溶剂在所述容器中混合并加热，然后向所述容器中分多次连续添加预先混合好的所述硅酸盐和所述第二有机溶剂，所述酸为有机酸；或者将所述第一半导体纳米晶、所述硅酸盐和所述有机溶剂在容器中混合并加热，然后向所述容器中分多次连续添加所述酸，所述酸为无机酸或有机酸；所述加热反应的温度为180～320℃；分多次加入为滴加；所述硅酸盐选自IA族金属硅酸盐、IIA族金属硅酸盐、IIIA族金属硅酸盐、过渡金属硅酸盐中的任一种或多种的组合。
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