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龙图腾网获悉郑州轻工业大学申请的专利一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380950B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110518912.8，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由李森;王海燕;杨鹏;程学瑞;翟玉生;杨坤;张志峰设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括衬底，衬底的上侧交替间隔设置有正电极和负电极，正电极的上侧设置有空穴传输层，负电极的上侧设置有电子传输层，空穴传输层和电子传输层的上侧设置有钙钛矿层，钙钛矿层的上侧设置有封装胶层，封装胶层的上侧设置有透明盖板。本发明由于电池入光面没有电极结构阻挡，能够增大太阳能电池吸收光的面积响，增大电池短路电流，进而有效提高太阳能电池的光电转换效率。同时，由于电极部分与钙钛矿层分布于在器件的两侧，有利于对电池的二次修复和回收利用，大幅度降低电池的维护和使用成本。

本发明授权一种背接触钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触钙钛矿太阳能电池，包括衬底，其特征在于：衬底的上侧交替且间隔设置有正电极和负电极，正电极的上侧设置有空穴传输层，负电极的上侧设置有电子传输层，空穴传输层和电子传输层的上侧设置有钙钛矿层，钙钛矿层的上侧设置有封装胶层，封装胶层的上侧设置有透明盖板；所述背接触钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在衬底的上侧制备第一金属电极膜；S2在第一金属电极膜的上侧制备空穴传输层；S3通过旋涂光刻胶、曝光、显影，在空穴传输层表面制备栅状的间隔遮挡层；S4通过酸腐蚀使第一金属电极膜和空穴传输层变为栅状，剩余的第一金属电极膜为正电极；S5在衬底的上侧制备第二金属电极膜和电子传输层；S6通过去胶工艺，去除间隔遮挡层，以及间隔遮挡层上侧的第二金属电极膜和电子传输层，衬底上剩余的第二金属电极膜为负电极；S7在空穴传输层和电子传输层表面旋涂光刻胶；S8通过对步骤S7的光刻胶曝光、显影，去除空穴传输层和电子传输层界面处的光刻胶；S9通过酸腐蚀，去除空穴传输层和电子传输层界面处的材料以及正电极和负电极界面处的材料，形成空穴传输层和电子传输层的绝缘，以及正电极和负电极的绝缘；S10去除空穴传输层和电子传输层上的光刻胶；S11在空穴传输层和电子传输层的上侧制备钙钛矿层；S12在钙钛矿层的上侧涂敷封装胶，形成封装胶层；在封装胶层上覆盖透明盖板，并实现电池密封；正电极和负电极的厚度均为50-800nm，相邻正电极和负电极的间隔为20-100nm；空穴传输层的厚度为10-100nm，电子传输层的厚度为10-100nm，钙钛矿层的厚度为100-1000nm；钙钛矿层为CsPbI3、FAPbI3、MAPbI3中的一种或者多种复合。

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