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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利图形化石墨烯的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115465856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110645459.7，技术领域涉及：C01B32/184；该发明授权图形化石墨烯的制备方法是由朱虹延;吴天如;顾杰斌;张超;高渤翔设计研发完成，并于2021-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形化石墨烯的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明可在绝缘衬底上精确定位图形化石墨烯的位置，无需再次转移石墨烯，避免了对石墨烯的污染以及其结构的破坏，无需通过光刻、离子刻蚀等工艺对石墨烯进行加工，即可获得图形化石墨烯，避免了对石墨烯的损伤和破坏，可以制备图形复杂、大尺寸、高质量的石墨烯，解决了以往石墨烯图形化过程中成本高、易受污染，质量差等问题。

本发明授权图形化石墨烯的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化石墨烯的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供碳化硅基体，所述碳化硅基体包括第一面及相对的第二面；在所述碳化硅基体中形成容纳通道，所述容纳通道包括位于所述碳化硅基体的第一面的第一图形化沟槽、位于所述碳化硅基体第二面的第二图形化沟槽，以及贯穿所述碳化硅基体且与所述第一图形化沟槽及第二图形化沟槽相贯通的连接通孔；提供催化剂及绝缘衬底，将所述催化剂置于所述容纳通道中，且所述绝缘衬底与所述碳化硅基体的相对两面相接触，构成三明治结构；将所述三明治结构置于加热装置中，进行催化反应，所述碳化硅基体作为固态碳源，且所述碳化硅基体在所述催化剂的作用下分解，得到位于所述绝缘衬底上的图形化石墨烯，其中，通过所述第一图形化沟槽及所述第二图形化沟槽直接控制形成的所述石墨烯的形貌；所述催化剂包括单金属，所述单金属包括镓、锗、铋、铟或锡；所述催化剂包括合金，所述合金包括镓-钯、镓-镍、镓-铟、镓-镍、铜-钴或镍-钼；所述催化反应的工艺条件包括温度为800℃~1300℃，保温时间为10min~60min，气压为10Pa~10000Pa，载气包括由流量为1sccm~50sccm的氢气与流量为100sccm~300sccm的氩气所构成的混合气。

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