恭喜江苏芯德半导体科技股份有限公司承士彬获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211695534.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法是由承士彬;夏美保设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，包括：在完成凸块制造的晶圆上进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面；然后，测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该凸块旁再钝化层上钛屏蔽层的信号高度得到底部信号高度，底部信号高度减去顶部信号高度直接得到该凸点高度；最后，将钛屏蔽层去除。本发明提供的测量方法，通过在完成凸块制造的晶圆上溅射钛屏蔽层，钛屏蔽层覆盖在再钝化层表面、以及凸块的顶部，使光源无法穿透钛屏蔽层，准确抓取基准面，测量出最高信号高度和底部信号高度，通过该方法得到的高度为凸块真实的高度，以便正确评估工艺能力以及判断产品质量。
本发明授权一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面具有再钝化层的凸块高度测量方法，其特征在于，包括步骤：S1：完成凸块制造：S1a、在来料晶圆表面涂布光刻胶作为再钝化层，经过曝光、显影在焊盘上方留出开口；S1b、在再钝化层的开口内进行溅射工艺，形成溅射层；S1c、在再钝化层上方涂布光刻胶，经过曝光、显影将再钝化层开口处露出溅射层；S1d、通过电镀、去光刻胶、腐蚀、回流工艺，制作出凸块；S2：溅射金属钛屏蔽层：将S1制得的晶圆进行溅射一层钛，形成钛屏蔽层，钛屏蔽层形成于凸块和再钝化层的表面；S3：使用3D测量设备自动测量晶圆上所有凸块的高度：测量凸块上钛屏蔽层的顶部最高信号得到顶部信号高度，测量对应该凸块旁再钝化层上钛屏蔽层的信号高度得到底部信号高度，底部信号高度减去顶部信号高度直接得到该凸块高度；S4：剥离溅射的钛屏蔽层：使用钛腐蚀液采用化学腐蚀的方法将钛屏蔽层去除。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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