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龙图腾网恭喜中国科学院光电技术研究所申请的专利超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472492B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147820.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法是由罗先刚;谷雨;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;赵泽宇设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法，该制备方法包括：S1，在衬底1上形成介质层2；S2，在介质层2上沉积氧化石墨烯层；S3，对氧化石墨烯层进行烘烤退火，形成还原氧化石墨烯薄膜层3，还原氧化石墨烯薄膜层3作为第一硬掩模层；S4，在还原氧化石墨烯薄膜层3上涂覆含Si抗反射涂层4，含Si抗反射涂层4作为第二硬掩模层；S5，在含Si抗反射涂层4上依次沉积金属层5、涂覆感光层6，得到超分辨光刻结构。本公开的方法提高了还原氧化石墨烯薄膜层与介质层之间的刻蚀选择比，避免了超分辨光刻图形传递中因纵横比过高导致的图形坍塌、变形等问题。

本发明授权超分辨光刻结构、制备方法及图形传递的方法在权利要求书中公布了：1.一种超分辨光刻结构的制备方法，其特征在于，包括：S1，在衬底（1）上形成介质层（2）；S2，在所述介质层（2）上沉积氧化石墨烯层；所述S2包括：S21，将氧化石墨烯粉末和溶剂混合，形成氧化石墨烯分散液；S22，将所述氧化石墨烯分散液滴加在所述介质层（2）上，低速旋转使所述氧化石墨烯分散液均匀铺展；S23，高速旋转使所述溶剂蒸发，形成氧化石墨烯层；S3，对所述氧化石墨烯层进行烘烤退火，形成还原氧化石墨烯薄膜层（3），所述还原氧化石墨烯薄膜层（3）作为第一硬掩模层；其中，形成所述还原氧化石墨烯薄膜层（3）的厚度为1～50nm；S4，在所述还原氧化石墨烯薄膜层（3）上涂覆含Si抗反射涂层（4），所述含Si抗反射涂层（4）作为第二硬掩模层；S5，在所述含Si抗反射涂层（4）上依次沉积金属层（5）、涂覆感光层（6），得到超分辨光刻结构。

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