恭喜朗姆研究公司巴德里·N·瓦拉达拉简获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113707542B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110823900.6，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化是由巴德里·N·瓦拉达拉简;龚波;袁光璧;桂喆;赖锋源设计研发完成，并于2017-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化在说明书摘要公布了：提供了使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化的方法和装置。远程等离子体沉积和远程等离子体处理碳化硅膜的操作交替发生以控制膜密度。沉积第一厚度的碳化硅膜，然后进行远程等离子体处理，并且然后沉积第二厚度的碳化硅膜，然后进行另一次远程等离子体处理。远程等离子体处理可以使处于实质上低能量状态的源气的自由基例如处于基态的氢自由基朝向沉积在衬底上的碳化硅膜流动。处于实质上低能态的源气的自由基促进碳化硅膜中的交联和膜致密化。
本发明授权使用远程等离子体处理使碳化硅膜致密化在权利要求书中公布了：1.一种沉积掺杂碳化硅膜的方法，该方法包括：使一种或多种含硅前体流入反应室，其中所述一种或多种含硅前体中的每一个包含Si-H键和或Si-Si键，以及Si-C键、Si-O键和或Si-N键；和使从远程等离子体源产生的源气体的自由基流入所述反应室，其中所述自由基在所述反应室中与衬底相邻的环境中处于基本上低能态或基态，其中所述自由基与在与所述衬底相邻的所述环境中的所述一种或多种含硅前体反应，以在所述衬底上沉积具有高击穿电压和低漏电流的掺杂碳化硅膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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