恭喜湖北星辰技术有限公司任小宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北星辰技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238827.4，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权半导体器件及其制造方法是由任小宁;吴洁;夏凯睿;谢冬设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于第二晶圆朝向第一晶圆的表面，其中，第二键合结构背离第二晶圆的表面具有第一凹槽，第一凹槽的截面尺寸大于第二键合部的截面尺寸，第二键合部嵌入第一凹槽内；填充层设于第二键合结构和第一晶圆之间；连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，第一连接部设于第一凹槽和第二键合部之间，第二连接部设于填充层和第二键合部之间。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一键合结构，所述第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，所述第一键合部的截面尺寸小于所述第二键合部的截面尺寸；第二键合结构，所述第二键合结构设于第二晶圆朝向所述第一晶圆的表面，所述第二键合结构背离所述第二晶圆的表面具有第一凹槽，其中，所述第一凹槽的截面尺寸大于所述第二键合部的截面尺寸，所述第二键合部和所述第一凹槽嵌合；填充层，所述填充层设于所述第二键合结构和所述第一晶圆之间；连接层，所述连接层包括第一连接部和第二连接部，其中，所述第一连接部设于所述第一凹槽和所述第二键合部之间，所述第二连接部设于所述填充层和所述第二键合部之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北星辰技术有限公司，其通讯地址为：430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路12号汇成工业科创园2号楼11F(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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