恭喜通威微电子有限公司李大龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威微电子有限公司申请的专利一种超级结二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131540.1，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种超级结二极管及其制作方法是由李大龙设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超级结二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种超级结二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该超级结二极管包括：N型外延片；位于N型外延片表面的终端区与有源区；其中，有源区包括至少两个第一P柱，每个第一P柱均包括P型侧壁及位于P型侧壁内的低掺杂N型离子区、第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；第一绝缘介质层与第二绝缘介质层的材料不同；第一绝缘介质层采用低介电常数或高介电强度的材料制作而成；位于终端区表面的钝化保护层；位于有源区表面的第一金属层以及位于外延片背面的第二金属层。本申请提供的超级结二极管及其制作方法具有降低了器件热失效概率、提升了器件击穿电压与可靠性及鲁棒性的优点。
本发明授权一种超级结二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种超级结二极管，其特征在于，所述超级结二极管包括：N型外延片；位于所述N型外延片表面的终端区与有源区；其中，所述有源区包括至少两个第一P柱，每个所述第一P柱均包括P型侧壁及位于所述P型侧壁内的低掺杂N型离子区、第一绝缘介质层以及第二绝缘介质层；所述低掺杂N型离子区设置于所述第一绝缘介质层与所述P型侧壁之间，且所述低掺杂N型离子区与所述第一绝缘介质层的高度相同；所述第二绝缘介质层位于所述低掺杂N型离子区与所述第一绝缘介质层的上方，且所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层的材料不同，所述第一绝缘介质层采用低介电常数或高介电强度的材料制作而成；位于所述终端区表面的钝化保护层；位于所述有源区表面的第一金属层以及位于所述外延片背面的第二金属层。
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