恭喜成都锐成芯微科技股份有限公司向建军获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都锐成芯微科技股份有限公司申请的专利一种非易失性存储单元及其存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510128783.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种非易失性存储单元及其存储器是由向建军;何忠波;王宇龙;陈飞龙设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非易失性存储单元及其存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种非易失性存储单元及其存储器，所述存储单元包含：相邻并置的不同类型的第一阱和第二阱；一个第一晶体管位于所述第一阱中，该第一晶体管包含浮栅及其栅氧化物；一个电容位于所述第二阱中，该电容包含一个位于第二阱中的耦合区，所述浮栅及其栅氧化物从第一阱延伸至第二阱，构成电容的栅极及其栅氧化物；所述浮栅包含两个电性不同的部分，所述两个部分的交界处形成PN结，邻近浮栅的一个末端，所述PN结与邻近的浮栅末端的距离小于150nm。本申请存储单元中的浮栅内的PN结邻近浮栅末端，可削弱或消除PN结对浮栅的不良影响，增大浮栅获得的耦合电势，提高浮栅获得的耦合电势的均匀度和稳定性，有助于提高存储器的稳定性和可靠性。
本发明授权一种非易失性存储单元及其存储器在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储单元，其特征在于，它包含：相邻并置的不同类型的第一阱和第二阱；一个第一晶体管位于所述第一阱中，所述第一晶体管包含浮栅及其栅氧化物；一个电容位于所述第二阱中，该电容包含一个位于第二阱中的耦合区，所述浮栅及其栅氧化物从第一阱延伸至第二阱，构成电容的栅极及其栅氧化物；所述浮栅包含两个电性不同的部分，所述两个电性不同的部分的交界处邻近浮栅的一个末端，所述交界处与邻近的浮栅末端的距离小于150nm。
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