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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利LDMOS器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510127856.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其形成方法是由康绍磊;丁帅;丁梦茜设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其形成方法，通过在漂移区设置浅沟槽，并在浅沟槽内设置相互隔离的第一浅沟槽隔离结构第一部分和第一浅沟槽隔离结构第二部分，第一浅沟槽隔离结构第一部分上形成有第一场板，第一浅沟槽隔离结构第二部分上形成有第二场板，第一浅沟槽隔离结构第一部分和第一浅沟槽隔离结构第二部分之间形成有控制栅，控制栅与第一场板电连接，且控制栅与第二场板相互隔离。本发明具有意想不到的技术效果，通过调节加在控制栅上的电压，能够实现对LDMOS器件的关键参数击穿电压和导通阻抗的调控，在不改变LDMOS器件尺寸的前提下显著降低导通阻抗，同时在一定程度上增加了击穿电压。

本发明授权LDMOS器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括衬底和位于所述衬底内的漂移区，所述漂移区内形成有浅沟槽，所述浅沟槽的底角形成有相互隔离的第一浅沟槽隔离结构第一部分和第一浅沟槽隔离结构第二部分，所述浅沟槽内形成有栅氧，所述栅氧覆盖所述浅沟槽的侧壁和底壁，所述栅氧还覆盖所述第一浅沟槽隔离结构第一部分的顶部和侧壁以及所述第一浅沟槽隔离结构第二部分的顶部和侧壁，所述第一浅沟槽隔离结构第一部分上形成有第一场板，所述第一浅沟槽隔离结构第二部分上形成有第二场板，所述第一浅沟槽隔离结构第一部分和所述第一浅沟槽隔离结构第二部分之间形成有控制栅，所述控制栅与所述第一场板电连接，且所述控制栅与所述第二场板相互隔离，以及所述控制栅覆盖所述浅沟槽的底壁上的栅氧，所述控制栅的电位单独引出。

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