恭喜电子科技大学周廷川获国家专利权
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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118155973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410205644.8，技术领域涉及：H01F1/33；该发明授权用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法是由周廷川;金立川;张岱南;李颉;贾利军;张怀武设计研发完成，并于2024-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于软磁复合材料技术领域，具体提供一种用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法，用以解决现有软磁复合材料在特高频频段存在磁损耗和介电损耗高、饱和磁化强度低等问题。本发明中软磁复合材料包含组分：球形铁基纳米晶磁粉：96～99.5wt％，ZnO或B2O3氧化物：0.5～4wt％；ZnO或B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。本发明使用ZnO或B2O3对球形铁基纳米晶磁粉进行绝缘包覆，并通过冷烧结工艺及退火处理获得致密软磁复合材料，具有较高的相对密度、较高的饱和磁化强度以及低的磁电损耗，并将磁导率截止频率提高至1.5～5GHz频段，满足特高频频段的应用需求。
本发明授权用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料，其特征在于，所述软磁复合材料包含以下组分：球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉：97.0wt％，ZnO氧化物：3.0wt％，所述球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉的粒径小于等于5微米，所述ZnO氧化物作为绝缘包覆材料；或者，球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉：99.0wt％，B2O3氧化物：1.0wt％，所述球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉的粒径小于等于5微米，所述B2O3氧化物作为绝缘包覆材料；又或者，球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉：97.0wt％，B2O3氧化物：3.0wt％，所述球形FeSiBPCuCCr铁基纳米晶磁粉的粒径小于等于5微米，所述B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。
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