恭喜业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司唐欣原获国家专利权
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龙图腾网恭喜业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司申请的专利封装方法、封装结构及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210147738.5，技术领域涉及：H10K50/844；该发明授权封装方法、封装结构及显示装置是由唐欣原设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装方法、封装结构及显示装置在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术领域，本申请实施例提供了一种封装方法、封装结构及显示装置。通过采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆待封装器件的第一无机层，得到第一无机层与待封装器件之间优良的结合界面，不仅可以在弯折时防止第一无机层断裂或者从待封装器件上剥落，而且提高了阻水氧能力，随后采用等离子体增强化学气相沉积工艺在第一无机层上沉积第二无机层，此时，不仅可以保护待封装器件不被等离子体损伤，还可以减少第一无机层的成膜时间。如此，提高了封装结构的使用寿命以及可靠性。
本发明授权封装方法、封装结构及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种封装方法，其特征在于，包括以下步骤：采用原子层沉积工艺在待封装器件外侧形成包覆所述待封装器件的第一无机层；采用等离子体增强化学气相沉积工艺在所述第一无机层上沉积第二无机层；在所述第二无机层上形成有机层；采用第二预设工艺对所述有机层背离所述待封装器件的一侧表面进行粗糙处理，以形成第二结构，以使所述有机层背离所述待封装器件的一侧表面为疏水性能的表面；所述第二结构中的凹陷部分的宽度为30微米至80微米；重复上述形成所述第二无机层、形成所述有机层的步骤，以形成包括所述第一无机层、多层所述第二无机层和至少一层所述有机层的封装结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人业泓科技(成都)有限公司;业泓科技股份有限公司，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区合作路689号N9栋4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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