恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司吴昊获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799027B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111055390.9，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法是由吴昊;蔡宗祐;周东明设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法，包括：提供一反应腔体，所述反应腔体内设有基座；提供一辅助组件，所述辅助组件的上表面积大于所述基座的上表面积；将所述辅助组件放置于所述基座上，使所述辅助组件的下表面和基座的上表面接触；通入清洁气体使其形成等离子体，清除沉积于所述反应腔体内的聚合物。本发明提供方法，无需打开腔体擦拭沉积于地极表面的高聚物，能够增强清洁工艺中等离子体对地极的轰击，提升对地极的清洁效率。
本发明授权一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提高CCP反应腔体内清洁效率的方法，其特征在于，包括：提供一反应腔体，所述反应腔体内设有基座；所述反应腔内设有与所述基座相对的上电极，所述上电极接地；提供一辅助组件，所述辅助组件的上表面积大于所述基座的上表面积；所述辅助组件包括一面积大于等于基座上表面积的圆底和一面积大于圆底面积的圆顶；所述辅助组件是半导体材料；将所述辅助组件放置于所述基座上，使所述辅助组件的下表面和基座的上表面接触；通入清洁气体使其形成等离子体，清除沉积于所述反应腔体内的聚合物。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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