恭喜长鑫存储技术有限公司邱少稳获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111050625.5，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权半导体结构及其制作方法、存储器是由邱少稳设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法、存储器，半导体结构至少可以包括：自下向上堆叠且设置于不同光刻层中的第一光栅、第二光栅以及第三光栅，不同所述光刻层中用于设置光栅的套刻标记区域重叠，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均为周期性结构，所述周期性结构中相邻所述光栅的中心距离为光栅周期，所述第一光栅与所述第二光栅的光栅宽度和或所述光栅周期不同。本申请实施例有利于提升半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：自下向上堆叠且设置于不同光刻层中的第一光栅、第二光栅以及第三光栅，不同所述光刻层中用于设置光栅的套刻标记区域重叠，所述第一光栅、所述第二光栅以及所述第三光栅均为周期性结构，所述周期性结构中相邻所述光栅的中心距离为光栅周期，所述第一光栅与所述第二光栅的光栅宽度和或所述光栅周期不同；所述第二光栅的中心位置与所述第一光栅的中心位置在垂直方向上错位，所述第二光栅与所述第一光栅在所述垂直方向上不重叠，且所述第一光栅与所述第二光栅之间具有间隙，所述第二光栅的光栅宽度大于所述第一光栅的光栅宽度且小于等于所述第一光栅的光栅宽度的两倍。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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