恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司陶珩获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利托盘及其金属有机化学气相沉积反应器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114318302B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011046724.1，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权托盘及其金属有机化学气相沉积反应器是由陶珩;郭泉泳;王家毅;胡建正设计研发完成，并于2020-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本托盘及其金属有机化学气相沉积反应器在说明书摘要公布了：一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，其中，所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片金属有机化学气相沉积反应器能防止飞片提高波长和温度的一致性，能满足显示器的要求。
本发明授权托盘及其金属有机化学气相沉积反应器在权利要求书中公布了：1.一种托盘，用于金属有机化学气相沉积反应器，所述金属有机化学气相沉积反应器还包括加热装置，设于所述托盘的下方，用于对托盘进行加热，其特征在于，包括：所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑待处理基片，所述托盘带动所述支撑台同向转动，所述第二托盘面与第一托盘面的高度差为：50微米～130微米，所述第二托盘面与第一托盘面之间构成一台阶；所述支撑台的上表面与第一托盘面之间的高度差使得当所述待处理基片置于所述支撑台时，所述待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面具有第一距离，所述第一托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离，所述第一距离减去第二距离的差值为：-80微米～80微米。
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