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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288249B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310271730.4，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法是由萧满超;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;W·R·恩特雷;J·L·A·阿赫蒂尔;雷新建;D·P·思朋斯设计研发完成，并于2019-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法在说明书摘要公布了：提供了一种用于制备介电膜的组合物和化学气相沉积方法。包含所述组合物的气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中。该气体试剂包含硅前体，所述硅前体包括根据本文定义的式I的硅化合物。在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应且由此在所述衬底上沉积膜。如此沉积的膜适合其预期用途，而无需对如此沉积的膜施加任选的额外固化步骤。还公开了制备所述组合物的方法。

本发明授权硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，所述方法包括：将气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中，其中所述气体试剂包含硅前体，所述硅前体包含具有下式I的硅化合物： 其中R1选自氢、直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C2-C10烯基、直链或支链C2-C10炔基、C3-C10环烷基、C3-C10杂环烷基、C5-C10芳基和C3-C10杂芳基；R2是C2-C4烷二基，其与Si和氧原子形成具有任选的C1-C6烷基取代基的四元、五元或六元饱和环状环；R3选自直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C2-C10烯基、直链或支链C2-C10炔基、C3-C10环烷基、C3-C10杂环烷基、C5-C10芳基、C3-C10杂芳基和烷氧基OR4，其中R4选自直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C2-C10烯基和直链或支链C2-C10炔基；和在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应从而在所述衬底上沉积膜；其中所述具有式I的硅化合物不是2,2-二甲基-1-氧杂-2-硅杂环己烷。

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