恭喜三星电子株式会社李允宑获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110827907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910733387.4，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法是由李允宑;金灿河;康淑恩;卢承京;李侊祐;李柱元;李镇旭;李熙元设计研发完成，并于2019-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法在说明书摘要公布了：公开了一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括存储器块和存储器控制器。存储器块包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域。存储器控制器基于第一存储器区域的第一读取电压设置读取块电压。存储器控制器基于变化信息和读取块电压确定第二存储器区域的第二读取电压。
本发明授权包括非易失性存储器器件的储存设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种储存设备，包括：非易失性存储器器件，包括至少一个存储器块，所述至少一个存储器块至少包括与第一字线连接的第一存储器区域和与第二字线连接的第二存储器区域；以及存储器控制器，被配置为：基于要被提供给所述第一存储器区域的第一读取电压，设置与所述存储器块相对应的读取块电压，基于所述第一存储器区域的读取电压的改变和所述第二存储器区域的读取电压的改变，设置与所述第一存储器区域、所述第二存储器区域和所述读取块电压相关的变化信息，以及基于所述变化信息，确定要被提供给所述第二存储器区域的第二读取电压，其中，所述存储器块还包括与参考字线连接的参考存储器区域；所述存储器控制器还被配置为：基于所述参考存储器区域的预测读取电压与所述第一存储器区域的预测读取电压之间的差，设置第一偏移信息，以及基于所述参考存储器区域的所述预测读取电压与所述第二存储器区域的预测读取电压之间的差，设置第二偏移信息，其中，所述变化信息包括所述第一偏移信息和所述第二偏移信息。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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