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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110581148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910492128.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器是由张刚设计研发完成，并于2019-06-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器在说明书摘要公布了：提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面；有机光电转换装置，其位于半导体衬底的第一表面上；穿通电极结构，其连接至有机光电转换装置；以及像素分离结构，其从半导体衬底的第一表面朝着第二表面延伸。半导体衬底可包括半导体衬底中的光电转换区。当在平面图中观看时，像素分离结构可包围光电转换区。像素分离结构可包括分离导电图案和第一侧壁电介质图案。第一侧壁电介质图案可从分离导电图案与半导体衬底之间连续地延伸至半导体衬底与穿通电极结构的侧壁之间。像素分离结构的一部分被穿通电极结构穿通。

本发明授权图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体衬底包括所述半导体衬底中的光电转换区；有机光电转换装置，其位于所述半导体衬底的第一表面上；穿通电极结构，其连接至所述有机光电转换装置；以及像素分离结构，其从所述半导体衬底的第一表面朝着所述半导体衬底的第二表面延伸，当在平面图中观看时，所述像素分离结构包围所述光电转换区，所述像素分离结构包括分离导电图案和第一侧壁电介质图案，所述穿通电极结构包括穿通导电插塞和包围所述穿通导电插塞的第二侧壁电介质图案，所述像素分离结构的一部分被所述穿通电极结构穿通，并且所述第一侧壁电介质图案包括位于所述分离导电图案与所述半导体衬底之间的部分和位于所述半导体衬底与所述第二侧壁电介质图案之间的部分,所述第一侧壁电介质图案直接接触所述分离导电图案的侧壁和所述第二侧壁电介质图案的侧壁。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。