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龙图腾网恭喜陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利原子层沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222861631U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520619727.1，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型原子层沉积设备是由王良栋;陈金良;宋维聪;李文涛设计研发完成，并于2025-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本原子层沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种原子层沉积设备。设备包括外腔、内反应腔、基座、升降板、多个顶针、多个支撑杆以及升降驱动组件；外腔上设置有晶圆进出通道；内反应腔设置于外腔内，包括环形侧壁以及可将环形侧壁顶部封闭的顶盖；基座固定于内反应腔内；升降板位于内反应腔内，且环设于基座外围；多个顶针设置在基座外部，且一端与升降板连接，另一端延伸至与晶圆底面接触；多个支撑杆位于顶针外侧，支撑杆一端与升降板连接，另一端与顶盖连接，且至少有两个支撑杆之间的距离大于晶圆的直径；升降驱动组件与升降板连接，且向下延伸到内反应腔的外部，升降驱动组件可将晶圆升至与晶圆进出通道对应的高度。本申请可以极大简化设备结构，降低设备使用成本。

本实用新型原子层沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括外腔、内反应腔、用于承载晶圆的基座、升降板、多个顶针、多个支撑杆以及升降驱动组件；所述外腔上设置有晶圆进出通道；所述内反应腔设置于外腔内，包括环形侧壁以及可将环形侧壁顶部封闭的顶盖；所述基座固定于内反应腔内；所述升降板位于内反应腔内，且环设于基座外围；所述多个顶针设置在基座外部，且一端与升降板连接，另一端竖直向上延伸至与晶圆底面接触；所述多个支撑杆位于顶针外侧，支撑杆一端与升降板连接，另一端与顶盖连接，且至少有两个支撑杆之间的距离大于晶圆的直径；所述升降驱动组件与升降板连接，且向下延伸到内反应腔的外部，升降驱动组件可将晶圆升至与晶圆进出通道对应的高度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陛通半导体设备(苏州)有限公司，其通讯地址为：215413 江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。