恭喜北京怀柔实验室王耀华获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222869300U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520595428.9，技术领域涉及：H10D64/23；该实用新型功率半导体器件是由王耀华;高明超;魏晓光;刘瑞;唐新灵;李立;焦倩倩;张语设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：有源区、门极环以及终端区，其中，所述有源区包括：多个阴极环区，其中，所述阴极环区包括一个阴极环或相邻的多个阴极环；以及多个阳极区，与所述多个阴极环区一一对应，其中，与靠近所述门极环的阴极环区相对应的阳极区的掺杂浓度大于与远离所述门极环的阴极环区相对应的阳极区的掺杂浓度。本实用新型为关断时远门极环提供更大的电流裕量，对抗关断时因关断的不均匀性带来的远门极环阳极电流再分配导致的提前失效，从而极大地提升器件的整体关断能力。
本实用新型功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件包括：有源区、门极环以及终端区，其中，所述有源区包括：多个阴极环区，其中，所述阴极环区包括一个阴极环或相邻的多个阴极环；以及多个阳极区，与所述多个阴极环区一一对应，其中，与靠近所述门极环的阴极环区相对应的阳极区的掺杂浓度大于与远离所述门极环的阴极环区相对应的阳极区的掺杂浓度。
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