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龙图腾网恭喜粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利一种抗反射层的厚度确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119758662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510259300.X，技术领域涉及：G03F1/46；该发明授权一种抗反射层的厚度确定方法是由石方毅;曾辉;李月;姜晓晴;张淼华;李贵琦;周卓弘设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗反射层的厚度确定方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种抗反射层的厚度确定方法，其中，该方法包括：获取待曝光晶圆对应的目标区域图形的图形文件；获取至少一个预设窗口图形和所述目标区域图形分别对应的预设抗反射层厚度；将所述图形文件和所述预设抗反射层厚度输入至光学临近修正模型来执行光学模拟，得到每个预设抗反射层厚度对应的光强随坐标产生变化的模拟曲线；在每个预设抗反射层厚度对应的所述模拟曲线中，确定出所述目标区域图形的预设位置信息对应的目标曲线斜率；依据每个预设抗反射层厚度对应的目标曲线斜率的比较结果，确定出用于降低所述目标区域图形的连通风险的目标抗反射层厚度。

本发明授权一种抗反射层的厚度确定方法在权利要求书中公布了：1.一种抗反射层的厚度确定方法，其特征在于，所述方法包括：获取待曝光晶圆对应的目标区域图形的图形文件，所述目标区域图形用于指示对所述待曝光晶圆进行曝光时使用的整体曝光图形上存在连通风险的区域图形，所述图形文件包括图形在存在连通风险的目标方向上的坐标；获取至少一个预设窗口图形和所述目标区域图形分别对应的预设抗反射层厚度，所述预设窗口图形是在晶圆曝光工艺的多个基础窗口图形中选择与所述目标区域图形对应的基础窗口图形；将所述图形文件和所述预设抗反射层厚度输入至光学临近修正模型来执行光学模拟，得到每个预设抗反射层厚度对应的光强随坐标产生变化的模拟曲线，所述光强用于指示晶圆曝光工艺的预设入射光强和模拟反射光强的和值；在每个预设抗反射层厚度对应的所述模拟曲线中，确定出所述目标区域图形的预设位置信息对应的目标曲线斜率，所述预设位置信息对应所述目标区域图形中存在连通风险的位置；依据每个预设抗反射层厚度对应的目标曲线斜率的比较结果，确定出用于降低所述目标区域图形的连通风险的目标抗反射层厚度；其中，所述方法还包括：通过对所述目标区域图形的目标位置向外增加不同大小的补偿图形得到多个更新区域图形，所述目标位置用于影响通过光学临近修正模型处理后的所述目标区域图形在所述目标方向上的边缘间距，所述边缘间距用于指示曝光后存在连通风险的间距；将每个更新区域图形的图形文件输入至所述光学临近修正模型来进行曝光预测，得到每个更新区域图形对应的曝光后的模拟边缘间距；将所述模拟边缘间距最大的更新区域图形作为所述目标区域图形实际进行曝光所使用的实际区域图形。

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