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龙图腾网恭喜上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利沟槽结构、功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510239514.0，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权沟槽结构、功率器件及其制备方法是由王士京;王兆祥;梁洁;张名瑜;李俭;王铃沣;沈康设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽结构、功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽结构、功率器件及其制备方法，制备方法包括：在半导体衬底上形成图形硬掩模；对半导体衬底进行第一刻蚀，在第一气压下进行第一刻蚀阶段，以在半导体衬底中形成多个沟槽和半导体侧壁，然后原位在第二气压下进行第二刻蚀阶段，以在沟槽中形成圆弧形底部，第二气压大于第一气压；去除图形硬掩模；在沟槽中填充有机物，去除沟槽上部的有机物，以显露出半导体侧壁的顶角区域；对显露的半导体侧壁的顶角区域进行第二刻蚀，以在顶角区域形成圆角结构；去除有机物。本发明可有效降低因多步骤多反应腔来刻蚀碳化硅沟槽而造成高成本的问题，及避免多反应腔刻蚀造成的晶圆污染和生产效率下降的问题，同时提升沟槽栅极材料填充的性能。

本发明授权沟槽结构、功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率器件沟槽结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成图形硬掩模；基于所述图形硬掩模对所述半导体衬底进行第一刻蚀，所述第一刻蚀包括在第一气压下进行第一刻蚀阶段，以在所述半导体衬底中形成多个沟槽和位于相邻沟槽之间的半导体侧壁，然后原位在第二气压下进行第二刻蚀阶段，以在所述沟槽中形成圆弧形底部，所述第二气压大于所述第一气压；去除所述图形硬掩模；在所述沟槽中填充有机物，去除所述沟槽上部的有机物，以显露出所述半导体侧壁的顶角区域；对显露的所述半导体侧壁的顶角区域进行第二刻蚀，以在所述顶角区域形成圆角结构；去除所述有机物。

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