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龙图腾网恭喜龙门实验室;华北水利水电大学;水利部杭州机械设计研究所申请的专利一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510159711.1，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法是由王星星;施建军;温暖;潘昆明;陈小明;张雷;彭岩;王沛;马怀立;耿在明;张冠星;凌自成;杨杰;赵永军;王威;殷硕;佐藤裕设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法，包括以下步骤：分别构建钨、钼及镍基钎料晶体模型，优化；用不同晶面指数对其进行切分、测试，得稳定晶体模型；构建不同位置及界面间距的界面模型并对其进行高通量计算，算出结合性能最好的清洁界面；用不同元素对清洁界面进行掺杂并分别计算清洁界面和掺杂界面的电荷密度、差分电荷密度及态密度数据，将清洁界面与掺杂界面的数据对比分析，预测掺杂元素对钨钼合金连接界面力学性能。本发明从原子尺度，结合原子间成键信息，揭示镍基钎料钎焊钨合金钼合金界面行为机理，通过高通量计算，预测界面结合性能。属于借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料技术领域。

本发明授权一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法在权利要求书中公布了：1.一种预测钨钼合金连接界面性能的高通量计算方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1，使用Materialsstudio软件分别构建钨、钼及镍基钎料的晶体模型，并对晶体模型进行几何优化；步骤S2，采用不同的晶面指数对钨、钼及镍基钎料的晶体模型进行切分，并进行Z轴原子层数收敛性测试，得到稳定的晶体模型；步骤S3，利用上述钨、钼及镍基钎料这三种稳定的晶体模型构建不同位置及界面间距的界面模型并对界面模型进行高通量计算，利用黏附功计算公式计算出结合性能最好的清洁界面；黏附功的计算公式如下： 其中，当EA为钨表面晶体结构模型的总能量，EB为镍基钎料表面晶体结构模型总能量，EAB为WTiNi3清洁界面模型能量，A为WTiNi3清洁界面模型截面面积；当EA为钼表面晶体结构模型的总能量，EB为镍基钎料表面晶体结构模型总能量，EAB为MoTiNi3清洁界面模型能量，A为MoTiNi3清洁界面模型截面面积；步骤S4，采用不同元素对步骤S3中结合性能最好的清洁界面进行掺杂并分别计算清洁界面和掺杂界面的电荷密度、差分电荷密度以及态密度数据，将清洁界面与掺杂界面的数据进行对比分析，预测掺杂元素对钨钼合金连接界面力学性能；所述不同元素为掺杂Zr、Cr、V、Al、Cu、Fe、Co、Mn、Nb、Mo元素的任一种或多种。

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