恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司田宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119517722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510098695.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法是由田宁;叶如彬设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法，在通过第一偏压电源将第一直流脉冲电压耦合到聚焦环的第一电路中，串联第一电容，通过第一电容的容值来调整聚焦环电压变化时对应的第一斜率，从而减少基片与聚焦环之间的电压差，有效降低基片与聚焦环之间发生电弧放电的风险。
本发明授权一种下电极组件、等离子体处理设备及其电压控制方法在权利要求书中公布了：1.一种下电极组件，其特征在于，包含：基座，用于承载基片和环绕所述基片的聚焦环；第一偏压电源，用于提供第一直流脉冲电压；将所述第一偏压电源的第一直流脉冲电压耦合到所述聚焦环的第一电路；第一电容，串联在所述第一电路中；第二偏压电源，用于提供第二直流脉冲电压；以及，将所述第二偏压电源的第二直流脉冲电压耦合到所述基片的第二电路；其中，所述第一电容用于使聚焦环电压变化斜率增大，使所述聚焦环电压变化斜率与所述基片电压变化斜率趋同，减少聚焦环电压与基片电压之间的电压差。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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