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龙图腾网恭喜杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)申请的专利一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411826664.3，技术领域涉及：H10N30/077；该发明授权一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法是由白玮;周利生;郭岩;许欣然;解广亚设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250‑250nm的绝缘二氧化硅层，其作用为确保压电MEMS器件与单晶硅基底间的绝缘，并提高下电极层、压电共聚物薄膜层与基底间的结合力。本发明可实现5‑10μm的薄膜制备。

本发明授权一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250-250nm的绝缘二氧化硅层；步骤2，下电极层图案化制备，在基底的二氧化硅层表面上通过物理气相沉积方法制备下电极层，下电极层的厚度为100-500nm，下电极层采用图案化设计，通过在电极制备过程中使用具有特定尺寸图案的掩膜版的方法实现图案化，图案化结构包括电极区、引脚区、引线区、极化接触区；步骤3，压电共聚物薄膜层制备，制备工艺为旋涂-升温干燥法，所述旋涂-升温干燥法为完成旋涂后将基底转移到热台上进行升温干燥；其中，进行前三次所述旋涂-升温干燥法时采用8wt%的PVDF-TrFE溶液，重复第四和第五次所述旋涂-升温干燥法时采用12wt%的PVDF-TrFE溶液，使得压电共聚物薄膜厚度达到5μm；重复第六和第七次所述旋涂-升温干燥法前还进行高温退火处理，所述高温退火处理的温度为略高于压电共聚物居里转变温度而低于熔融温度，第六和第七次所述旋涂-升温干燥法时采用14wt%的PVDF-TrFE溶液；步骤4，压电共聚物薄膜层图案化刻蚀，利用特定掩膜版，采用紫外激光刻蚀方法完成对压电共聚物薄膜层图案化刻蚀，得到以下电极层电极区中心点为中心，指定尺寸的压电共聚物薄膜层，其余区域的压电共聚物薄膜全部刻蚀去除，使压电共聚物薄膜层面积略大于下电极层电极区面积；步骤5，压电共聚物薄膜层表面等离子体处理及上电极层图案化制备，运用等离子体溅射方法对压电共聚物薄膜层进行表面处理，在压电共聚物薄膜层表面上通过物理气相沉积方法制备上电极层，上电极层的厚度为100-500nm，上电极层采用图案化设计，通过在电极制备过程中使用具有特定尺寸图案的掩膜版的方法实现图案化，图案化结构包括电极区、引脚区、引线区、极化接触区；步骤6，压电共聚物薄膜层极化，用压电共聚物薄膜层极化接触装置，将MEMS水听器与压电共聚物薄膜层极化接触装置一同置于高粘度绝缘硅油中进行直流极化，极化电场强度不小于140Vμm。

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