恭喜武汉大学瓦西里·帕里诺维奇获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116256078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310149550.9，技术领域涉及：G01K7/22；该发明授权铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备是由瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅;杨兵;许畅;张翔宇;刘修铭;张俊;黄家辉设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备在说明书摘要公布了：本申请公开了铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备。该温度传感器的超声压电材料为铌酸锂压电涂层，通过涂层的表面断面形貌、晶粒形状尺寸、晶体结构、超声波形态中至少一者表征待测温度。为实现铌酸锂薄膜温度传感器的实时测温，本申请还提供了温度测量设备，包括依次电连接的加热区域、薄膜超声波温度传感器、脉冲发射‑接收器、控制器、计算机终端设备。本技术方案提供了宽温域范围内稳定工作的的监测设备和薄膜温度传感器，实时监测温度，实现温度变化的提前预警，避免重要设备的结构性损坏。
本发明授权铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂薄膜温度传感器，其特征在于，包括依次叠设于基底的结合层、压电涂层、第一层保护层、第二层保护层、过渡层和电极层；所述电极层包括接地电极和表面电极，所述接地电极和所述表面电极存在宽0.5mm-2mm的间隙；所述压电涂层为单层均质的铌酸锂，所述压电涂层被配置成能够通过涂层的表面断面形貌、晶粒形状尺寸、晶体结构、超声波形态中至少一者表征待测温度；所述结合层、铌酸锂压电涂层、第一保护层、第二保护层、过渡层、电极层的制备方式为射频磁控溅射；所述压电涂层厚10-20微米，沉积参数如下：射频磁控溅射的功率为500-1000W，沉积气压为0.5-5Pa，ArO2为12-51，腔内温度为80-250℃，沉积时间为2h-10h，靶材与基底间距为2cm-7cm。
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