恭喜伏达半导体(合肥)股份有限公司林中获国家专利权
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龙图腾网恭喜伏达半导体(合肥)股份有限公司申请的专利无闩锁侧向IGBT装置、制造方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210413207.6，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权无闩锁侧向IGBT装置、制造方法及器件是由林中;黄金彪设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本无闩锁侧向IGBT装置、制造方法及器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种无闩锁侧向IGBT装置、制造方法及器件，包括形成在衬底上方的漂移区、形成在衬底上方的体区、形成在漂移区内的第一阱区、形成在第一阱区中的集电极区、形成在体区中的发射极区、形成在体区中的第一体接触部，位于集电极区和发射极区之间的第一栅极，形成在衬底上方的第二阱区，形成在第二阱区中的漏极区，其中漏极区和发射极区彼此电连接，形成在第二阱区中的源极区，其中源极区和第一体接触部彼此电连接，以及位于漏极区和源极区之间的第二栅极，其中第二栅极和第一栅极彼此电连接。
本发明授权无闩锁侧向IGBT装置、制造方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：具有第一导电性的衬底；形成在所述衬底上方的具有第二导电性的漂移区；形成在所述衬底上方的具有所述第一导电性的体区；形成在所述漂移区内的具有所述第二导电性的第一阱区；形成在所述第一阱区中的具有所述第一导电性的集电极区；形成在所述体区中的具有所述第二导电性的发射极区；形成在所述体区中的具有所述第一导电性的第一体接触部；位于所述集电极区和所述发射极区之间的第一栅极；形成在所述衬底上方的具有所述第一导电性的第二阱区；形成在所述第二阱区中的具有所述第二导电性的漏极区，其中所述漏极区和所述发射极区彼此电连接；形成在所述第二阱区中的具有所述第二导电性的源极区，其中所述源极区和所述第一体接触部彼此电连接；和位于所述漏极区与所述源极区之间的第二栅极，其中所述第二栅极与所述第一栅极彼此电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人伏达半导体(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市高新区望江西路900号中安创谷科技园B4栋5层01室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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