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龙图腾网恭喜深圳市金誉半导体股份有限公司申请的专利一种电源电路封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361055B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671525.4，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种电源电路封装结构及其封装方法是由顾岚雁;林河北;梅小杰;解维虎;陈永金设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电源电路封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开电源电路封装结构，包括塑封体、塑封体上的IC控制芯片、IC控制芯片两侧的第一金属基岛、第二金属基岛、连接IC控制芯片和第一金属基岛的MOS开关芯片，MOS开关芯片上设置第一聚酰亚胺层，IC控制芯片设置第二聚酰亚胺层，MOS开关芯片设置第一聚酰亚胺层的第一铜柱、与第一铜柱垂直并与第一金属基岛贴合的第一铜块，第一金属基岛向外延伸的第一引脚，贯穿第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层的第二铜柱和第二铜块，IC控制芯片上设置有位于第二铜柱之间第三铜柱、与第三铜柱垂直并与第二金属基岛贴合的第三铜块，第二金属基岛连接有向外延伸的第二引脚。本发明还提供电源电路封装方法，大大降低功耗并提高了工作频率。

本发明授权一种电源电路封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种电源电路封装结构，其特征在于，包括塑封体、位于所述塑封体上的IC控制芯片、位于所述IC控制芯片两侧的第一金属基岛、与所述IC控制芯片连接的第二金属基岛、连接所述IC控制芯片和所述第一金属基岛的MOS开关芯片，所述MOS开关芯片上表面设置有第一聚酰亚胺层，所述IC控制芯片下表面设置有第二聚酰亚胺层，所述MOS开关芯片的一侧设置有贯穿所述第一聚酰亚胺层并间隔排列的第一铜柱、与所述第一铜柱垂直并与所述第一金属基岛的第一端面贴合的第一铜块，所述第一金属基岛的第二端面向外延伸的第一引脚，所述MOS开关芯片的另一侧设置有分别贯穿所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层并间隔排列的第二铜柱、与所述第二铜柱垂直并位于所述第一聚酰亚胺层和所述第二聚酰亚胺层之间的第二铜块，所述IC控制芯片上设置有位于所述第二铜柱之间并贯穿所述第二聚酰亚胺层的第三铜柱、与所述第三铜柱垂直并与所述第二金属基岛的一端贴合的第三铜块，所述第二金属基岛的另一端连接有向外延伸的第二引脚。

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