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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种PPM电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335342B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111561856.2，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种PPM电容器及其制备方法是由汤志林;王卉;付永琴;曹子贵设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PPM电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种PPM电容器及其制备方法，包括：衬底，所述衬底上形成有支撑层；PIP电容结构，包括第一极板、第一介电层及第二极板，所述第一极板位于所述衬底上并包裹所述支撑层以使所述第一极板呈凸字形，所述第一介电层及所述第二极板依次位于所述第一极板的凸顶面上；第二介电层，位于所述第二极板上且覆盖所述第二极板的部分顶面；第三极板，位于所述第二介电层上。通过增加所述第三极板，使所述第三极板与所述第二极板形成的电容与所述PIP电容结构并联，在不增加电容器尺寸的前提下增加所述电容器的电容值。

本发明授权一种PPM电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PPM电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成支撑层，所述支撑层覆盖部分所述衬底；在所述衬底上形成PIP电容结构，所述PIP电容结构包括第一极板、第一介电层及第二极板，所述第一极板位于所述衬底上并包裹所述支撑层以使所述第一极板呈凸字形，所述第一介电层及所述第二极板依次覆盖所述第一极板的凸顶面上；在所述第二极板上形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第二极板的部分顶面；在所述第二介电层上形成第三极板，所述第三极板覆盖所述第二介电层；在形成所述第二介电层之前，形成所述PIP电容结构之后，还包括：在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述PIP电容结构及所述衬底；对所述第一介质层进行平坦化工艺，直至露出所述第二极板的上表面；形成所述第二介电层及所述第三极板的步骤包括：在所述第一介质层上依次形成第二介电层和第三极板，所述第二介电层覆盖所述第一介质层及所述第二极板，所述第三极板覆盖所述第二介电层；刻蚀除去部分所述第二介电层及所述第三极板，剩余的所述第二介电层覆盖所述第二极板的部分顶面，剩余的所述第三极板覆盖所述第二极板。

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