恭喜华邦电子股份有限公司林昶鸿获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利埋入式字线结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117060B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110285290.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权埋入式字线结构及其制造方法是由林昶鸿设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本埋入式字线结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种埋入式字线结构及其制造方法。所述埋入式字线结构包括第一隔离结构、埋入式字线、第一阻障层、第二阻障层、沟道层以及第二隔离结构。所述第一隔离结构设置于衬底中，且具有沟槽。所述埋入式字线设置于所述沟槽的底面上。所述第一阻障层设置于所述埋入式字线与所述沟槽的侧壁与底面之间。所述第二阻障层覆盖所述埋入式字线的顶面，且包括主体部分与延伸部分，其中所述主体部分位于所述埋入式字线上，且所述延伸部分自所述主体部分的周围向上延伸。所述沟道层设置于所述第一阻障层与所述第二阻障层上。所述第二隔离结构设置于所述沟道层上。
本发明授权埋入式字线结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种埋入式字线结构，其特征在于，包括：第一隔离结构，设置于衬底中，且具有沟槽；埋入式字线，设置于所述沟槽的底面上；第一阻障层，设置于所述埋入式字线与所述沟槽的侧壁与底面之间；第二阻障层，覆盖所述埋入式字线的顶面，且包括主体部分与延伸部分，其中所述主体部分位于所述埋入式字线上，且所述延伸部分自所述主体部分的周围向上延伸；沟道层，设置于所述第一阻障层与所述第二阻障层上；以及第二隔离结构，设置于所述沟道层上，其中所述沟道层包覆所述第二阻障层，且与所述第一阻障层接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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