恭喜厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112615257B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011557123.7，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片是由林志伟;陈凯轩;童吉楚;谢昆江;徐枫设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延结构包括：依次堆叠的衬底、缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结，可以提高激光器内量子效应，有效提升激光器的性能。
本发明授权一种激光器外延结构及其制作方法、VCSEL芯片在权利要求书中公布了：1.一种激光器外延结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为导电衬底；沿第一方向依次堆叠在所述衬底表面的缓冲层、N型DBR层、有源区、氧化层、P型DBR层及P型欧姆接触层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型欧姆接触层；所述N型DBR层和P型DBR层分别包括若干组交替生长的低折射率物质层和高折射率物质层，且所述低折射率物质层和所述高折射率物质层界面之间形成隧穿结；其中，所述低折射率物质层包括N型掺杂层，所述高折射率物质层包括P型掺杂层，所述隧穿结包括N型高掺层与P型高掺层的堆叠，且所述N型高掺层靠近所述N型掺杂层而设置，所述P型高掺层靠近所述P型掺杂层而设置，使所述N型掺杂层与P型掺杂层之间形成隧穿效应；且，所述N型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为N型掺杂；所述P型DBR层沿所述第一方向的开始层和结束层均为P型掺杂。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门乾照光电股份有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号