恭喜微软技术许可有限责任公司M·J·曼弗拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜微软技术许可有限责任公司申请的专利量子阱场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064602.7，技术领域涉及：H10D62/81；该发明授权量子阱场效应晶体管及其制造方法是由M·J·曼弗拉;C·F·托马斯设计研发完成，并于2020-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本量子阱场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：量子阱场效应晶体管QWFET包括阻挡层、量子阱层和间隔层。量子阱层在阻挡层上。阻挡层和间隔层包括未掺杂的锑化铝铟。量子阱层包括锑化铟。间隔层在量子阱层上。量子阱层和间隔层在源极触点与漏极触点之间。栅极触点在介电层上，介电层在间隔层上。通过将阻挡层和间隔层设置为未掺杂的层，可以改善QWFET的性能。
本发明授权量子阱场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种量子阱场效应晶体管QWFET，包括：源极触点、漏极触点和栅极触点；阻挡层，包括锑化铝铟，其中所述阻挡层是未掺杂的；量子阱层，在所述阻挡层上，其中所述量子阱层在所述源极触点与所述漏极触点之间，并且所述量子阱层包括锑化铟；间隔层，直接在所述量子阱层上，其中所述间隔层在所述源极触点与所述漏极触点之间，所述间隔层包括锑化铝铟，所述间隔层是未掺杂的，并且不存在直接与所述间隔层相邻的Δ掺杂层；以及介电层，直接在所述间隔层上，其中所述栅极触点在与所述间隔层相对的所述介电层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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