恭喜朗姆研究公司拉梅什·钱德拉塞卡拉获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利多区段式基座的温度控制获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114269969B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080058573.3,技术领域涉及:C23C16/46;该发明授权多区段式基座的温度控制是由拉梅什·钱德拉塞卡拉;迈克尔·菲利普·罗伯茨;亚伦·宾汉;阿施施·索拉卜;阿德里安·拉沃伊;普尔凯特·阿加瓦尔;拉维·库马尔设计研发完成,并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本多区段式基座的温度控制在说明书摘要公布了:一种处理半导体衬底的系统包含:衬底支撑件组件,其被配置成支撑所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含:M个电阻加热器,其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中,其中M为大于1的整数。所述层邻近于所述半导体衬底。所述衬底支撑件组件包含:N个温度传感器,其被设置于所述层中的N个位置处,其中N为大于1且小于或等于M的整数。所述系统还包括:控制器,其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。
本发明授权多区段式基座的温度控制在权利要求书中公布了:1.一种处理半导体衬底的系统,其包含:衬底支撑件组件,其被配置成支撑所述半导体衬底,所述衬底支撑件组件包含:M个电阻加热器,其被分别设置于所述衬底支撑件组件的层中的M个区段中,所述层邻近于所述半导体衬底,其中M为大于1的整数,其中所述M个区段包含:第一圆形区段,其位于所述层的中心区域处;第二环形区段,其围绕所述第一圆形区段;第一组区段,其位于围绕所述第二环形区段的第一环形区域中;以及第二组区段,其位于围绕所述第一环形区域的第二环形区域中;以及N个温度传感器,其被设置于所述层中的N个位置处,其中N为大于1且小于或等于M的整数,其中所述N个温度传感器包含:第一对温度传感器,其沿着所述层的第一直径而位于所述第二环形区段与所述第一组区段之间的第一边界处;第二对温度传感器,其沿着所述层的第二直径而位于所述第一组区段与所述第二组区段之间的第二边界处;以及第一温度传感器,其位于所述第一圆形区段内且在所述第一与第二直径的交点处;以及控制器,其被配置成基于由所述N个温度传感器中的一者所感测的温度和所述M个区段中的一或多者的平均温度而控制所述M个电阻加热器中的一或多者。
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