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恭喜三菱电机株式会社尾上和之获国家专利权

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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114930658B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080092759.0,技术领域涉及:H01S5/227;该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由尾上和之设计研发完成,并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:本公开所涉及的半导体装置具备:主部,其具有半导体基板、设置在半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在第1包覆层之上的活性层、设置在活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层,并形成有平坦部和包括活性层的台面部;和第1埋入层,其为第2型且覆盖平坦部的上表面和台面部的侧面,第1埋入层在平坦部的上表面中的在距台面部与平坦部的边界为台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部。

本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,具备:主部,其具有半导体基板、设置在所述半导体基板之上且作为n型和p型中的一方的第1型的第1包覆层、设置在所述第1包覆层之上的活性层、设置在所述活性层之上且作为n型和p型中的另一方的第2型的第2包覆层,并形成有平坦部、和与所述平坦部邻接且相对于所述平坦部向上方突出且包括所述活性层的台面部;第1埋入层,其为所述第2型,且具有覆盖所述平坦部的上表面的第1部分、和覆盖所述台面部的侧面的第2部分;所述第1型的第2埋入层,其设置在所述第1埋入层之上;第1电极,其设置于所述台面部的上方;以及第2电极,其设置于所述台面部的下方,所述第1埋入层在所述平坦部的所述上表面中的在距所述台面部与所述平坦部的边界为所述台面部的高度以内的区域设置的部分的上表面具有突起部,所述第1埋入层具有:凸起状的第1半导体层,其设置于所述突起部的正下方;和第2半导体层,其覆盖所述台面部的所述侧面、所述平坦部的所述上表面和所述第1半导体层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社,其通讯地址为:日本东京都;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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