买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111326575B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911282734.2，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权功率半导体器件是由R.巴布尔斯克;M.耶利内克;F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;C.P.桑多;H-J.舒尔策设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件在说明书摘要公布了：功率半导体器件包括有前侧和背侧的半导体本体，其包括第一导电类型的漂移区；第一导电类型的场停止区，布置在漂移区和背侧间且有比漂移区更高掺杂剂浓度的掺杂剂，通过经由背侧的质子注入创建；和第一导电类型的发射极调整区，布置在场停止区和背侧间且有比场停止区更高掺杂剂浓度的掺杂剂。场停止区包括呈现第一局部最大值和第一局部最小值的掺杂剂浓度分布，第一局部最小值布置在第一局部最大值和场停止区的掺杂剂浓度分布的另一局部最大值间和或第一局部最大值和发射极调整区的掺杂剂浓度分布的最大值间，第一局部最大值处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值处的掺杂剂浓度的至多三倍，半导体本体是或包括有至少1E17cm‑3的间隙氧浓度的半导体衬底。

本发明授权功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括具有前侧10-1和背侧10-2的半导体本体10，其中，所述半导体本体10包括：-第一导电类型的漂移区100；-第一导电类型的场停止区105，所述场停止区105被布置在所述漂移区100与所述背侧10-2之间并且具有以比所述漂移区100更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂，其中，所述场停止区105至少部分地通过经由所述背侧10-2的质子的注入而创建；以及-第一导电类型的发射极调整区106，所述发射极调整区106被布置在所述场停止区105与所述背侧10-2之间，并且具有以比所述场停止区105更高的掺杂剂浓度的第一导电类型的掺杂剂；其中，所述场停止区105在沿着从所述背侧10-2指向所述前侧10-1的竖直方向Z的截面中包括呈现出第一局部最大值1051和第一局部最小值1052的第一导电类型的掺杂剂的掺杂剂浓度分布，所述第一局部最小值1052被布置在所述第一局部最大值1051与所述场停止区105的所述掺杂剂浓度分布的另一局部最大值1053、1055、1057之间和或在所述第一局部最大值1051与所述发射极调整区106的掺杂剂浓度分布的最大值之间，其中，第一局部最大值1051处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值1052处的掺杂剂浓度的至多三倍，以及其中，所述半导体本体10是或者包括具有至少1E17cm-3的间隙氧浓度的半导体衬底。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技股份有限公司，其通讯地址为：德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。