恭喜营口天维半导体制造有限公司郑园园获国家专利权
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龙图腾网恭喜营口天维半导体制造有限公司申请的专利一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112993160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911333356.6，技术领域涉及：H10K71/40；该发明授权一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置和方法是由郑园园;郑小鹿设计研发完成，并于2019-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种对于有机‑无机的金属卤化物钙钛矿及其衍生物的非晶或多晶薄膜材料的结晶和再结晶的装置和方法，特别是涉及横向区域熔化再结晶，并应用于钙钛矿的非晶或者多晶薄膜，其有利于减少晶畴之间的空隙，消除晶畴间的界面和增大晶畴。装置中包含辐射源、聚焦和扫描单元、薄膜的气氛控制环境、薄膜的加热平台和前驱体的加热器等。本发明适用于光伏薄膜、LED显示器发光薄膜、图象探测器薄膜和x光图象探测器薄膜等需要较大面积的钙钛矿单晶、准单晶或者较大晶畴的多晶的需要。
本发明授权一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置，其特征在于包含辐射源、聚焦单元、扫描单元、薄膜的气氛控制环境、薄膜样品的加热平台和前驱体的加热器；所述加热平台用于放置待横向区域熔化再结晶的钙钛矿薄膜；所述气氛控制环境用于依次按一定的时间顺序设置为真空、惰性气体和封闭的蒸汽压可控的前驱体蒸汽；所述加热平台的温度升到低于薄膜熔化的一个确定的温度，所述辐射源、所述聚焦单元、所述扫描单元启动，选择合适的辐射强度、聚焦区域大小、扫描速度和扫描模式，使得在薄膜内的辐射线束聚焦区域的温度升到薄膜熔点之上；在扫描遍历薄膜之后，所述辐射源、所述聚焦单元、所述扫描单元关闭；所述加热平台的温度减低到室温，得到制备完毕的薄膜；所述的辐射源是产生远红外到红外波段内辐射的电阻加热源，或者是产生近红外到紫外波段内辐射的光源。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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