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龙图腾网恭喜QORVO美国公司申请的专利用于扇出式封装的具有背面互连线的单片微波集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111276473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911227597.2，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权用于扇出式封装的具有背面互连线的单片微波集成电路是由安德鲁·阿瑟·克特森;克里斯托·帕维尔·博伊科夫设计研发完成，并于2019-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于扇出式封装的具有背面互连线的单片微波集成电路在说明书摘要公布了：公开了用于扇出式封装的具有背面互连线的单片微波集成电路MMIC。扇出式封装，诸如扇出晶圆级封装FOWLP或扇出面板级封装FOPLP，有助于MMIC的高密度封装。但是，所述扇出式封装可能会在MMIC管芯与FOWPLP封装和或下一级组件NHA的再分布层RDL中的金属功能件之间产生不期望的电磁EM耦合。在示例性方面，根据本公开的电路封装包括所述MMIC管芯和RDL。所述MMIC包括具有可不期望地耦合到所述RDL中的金属信号线例如，封装金属互连线的部件的芯片侧。所述MMIC的所述芯片侧远离所述RDL定向，以减少此类EM耦合。

本发明授权用于扇出式封装的具有背面互连线的单片微波集成电路在权利要求书中公布了：1.一种电路封装，包括：第一单片微波集成电路管芯，具有包括第一单片微波集成电路管芯的一个或多个有源元件的芯片侧，对电磁耦合敏感的部件作为芯片侧的一部分或耦合到芯片侧；二次注塑成型层，至少部分地围绕所述第一单片微波集成电路管芯并覆盖所述芯片侧；再分布层，其附接到所述第一单片微波集成电路管芯的与所述芯片侧相对的表面，其中所述再分布层包括连接到所述第一单片微波集成电路管芯的芯片侧上的所述一个或多个有源元件的多条信号线，其中所述再分布层的长度等于所述二次注塑成型层的长度；互连层，其附接到所述再分布层并且被配置成将所述再分布层中的所述多条信号线电连接到下一级组件；以及穿过所述第一单片微波集成电路管芯的多个热通孔；其中：所述第一单片微波集成电路管芯的芯片侧远离所述再分布层定向，以减小所述再分布层的所述多条信号线与对电磁耦合敏感的所述部件之间的电磁耦合；所述第一单片微波集成电路管芯的与所述芯片侧相对的所述表面为所述第一单片微波集成电路管芯的背面；所述电路封装进一步包括位于所述第一单片微波集成电路管芯的所述背面的一部分上的接地平面，来屏蔽所述部件以免于与所述再分布层的所述多条信号线的电磁耦合；并且所述多个热通孔中的至少一个相应热通孔在操作中将所述接地平面连接到所述第一单片微波集成电路管芯的所述一个或多个有源元件中的至少一个有源元件。

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