恭喜英飞凌科技股份有限公司R.西米尼克获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244164B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911202091.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法是由R.西米尼克;T.艾兴格;I.莫德;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;C.冯科布林斯基设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法在说明书摘要公布了：提供了碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法。碳化硅器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底包括晶体管单元的体区和源区。此外，碳化硅器件包括晶体管单元的碳化钛栅电极。
本发明授权碳化硅器件、半导体器件及用于形成它们的方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件，包括：碳化硅衬底，包括晶体管单元的体区和源区；和晶体管单元的碳化钛栅电极，接触栅电极的栅金属化部，其中晶体管单元的栅电极在不多于两个位置处被栅金属化部接触，其中对于每个晶体管单元，碳化钛栅电极仅在碳化钛栅电极的端区处连接到栅金属化结构，并且其中碳化钛栅电极的端区从碳化钛栅电极的相应横向端部在相应碳化钛栅电极长度的至多10％上延伸。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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