恭喜阿托梅拉公司武内英树获国家专利权
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龙图腾网恭喜阿托梅拉公司申请的专利包括源极和漏极区域与掺杂剂扩散阻挡超晶格层以减小接触电阻的FINFET和相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113228300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980085367.9，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权包括源极和漏极区域与掺杂剂扩散阻挡超晶格层以减小接触电阻的FINFET和相关方法是由武内英树;D·康奈利;M·海塔;R·伯顿;R·J·米尔斯设计研发完成，并于2019-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括源极和漏极区域与掺杂剂扩散阻挡超晶格层以减小接触电阻的FINFET和相关方法在说明书摘要公布了：FINFET可包括半导体鳍，在半导体鳍中间隔开的源极和漏极区域与在它们之间延伸的沟道区域，和将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域的至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格，其中上部区域具有与下部区域相同的传导率和比下部区域高的掺杂剂浓度。掺杂剂扩散阻挡超晶格可包括多个堆叠的层组，其中每个层组包含限定了基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层，和被约束在相邻的基础半导体部分的晶体晶格内的至少一个非半导体单层。FINFET还可包括在沟道区域上的栅极。
本发明授权包括源极和漏极区域与掺杂剂扩散阻挡超晶格层以减小接触电阻的FINFET和相关方法在权利要求书中公布了：1.FINFET，包含：半导体鳍；在该半导体鳍中的间隔开的源极和漏极区域与在它们之间延伸的沟道区域；至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格，该至少一个掺杂剂扩散阻挡超晶格将源极和漏极区域中的至少一个分成下部区域和上部区域，其中该上部区域具有与该下部区域相同的传导率和比该下部区域高的掺杂剂浓度；该掺杂剂扩散阻挡超晶格包含多个堆叠的层组，每个层组包含限定了基础硅部分的多个堆叠的基础硅单层，和被约束在相邻的基础硅部分的晶体晶格内的至少一个氧单层；和在该沟道区域上的栅极。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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