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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利天线封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112713097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911021293.0，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权天线封装结构及封装方法是由吴政达;陈彦亨;林正忠;薛亚媛;徐罕设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本天线封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种天线封装结构及封装方法，封装方法包括：提供支撑基底，形成重新布线层、第一天线层、第一金属馈线柱、第一封装层、第二天线层、第二金属馈线柱、第二封装层、第三天线层、半导体芯片、金属凸块及第三封装层。本发明基于第三封装层对半导体芯片进行保护，将芯片和金属凸块同时封装，可有效提高封装结构的稳定性，通过多层金属馈线柱及多层封装层形成多层天线结构，可以小封装尺寸，可以增强接收信号能力，扩大接收信号频宽，形成底部填充层，提高封装结构稳定性，半导体芯片、重新布线层及天线金属等结构设置为垂直排列结构，可有效缩短组件之间传导路径，有更好的电性和天线性能，具有较低的功耗，制程结构整合性高。

本发明授权天线封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种天线封装方法，其特征在于，所述封装方法包括步骤：提供支撑基底，于所述支撑基底上形成临时键合层；于所述临时键合层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述临时键合层连接的第一面以及与所述第一面相对的第二面；于所述第二面上形成与所述重新布线层电连接的第一天线层；于所述第一天线层上形成与所述第一天线层电连接的第一金属馈线柱；采用第一封装层封装所述第一金属馈线柱，并使所述第一封装层显露所述第一金属馈线柱的顶面；于所述第一封装层上形成与所述第一金属馈线柱电连接的第二天线层；于所述第二天线层上形成与所述第二天线层电连接的第二金属馈线柱；采用第二封装层封装所述第二金属馈线柱，并使所述第二封装层显露所述第二金属馈线柱的顶面；于所述第二封装层上形成与所述第二金属馈线柱电连接的第三天线层；基于所述临时键合层剥离所述重新布线层及所述支撑基底，露出所述重新布线层的所述第一面，自所述第一面在所述重新布线层中形成第一开口，并于所述第一面上形成至少一个与所述重新布线层电连接的半导体芯片；于所述第一开口中形成与所述重新布线层电连接的金属凸块；以及采用第三封装层封装所述半导体芯片、所述金属凸块，并于所述第三封装层中形成第二开口，所述第二开口显露所述金属凸块。

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