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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利SIC MOSFET半导体封装件及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931446B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910861400.4，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权SIC MOSFET半导体封装件及相关方法是由M·C·艾斯达西欧;J·蒂萨艾尔;E·A·卡巴雨歌设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本SIC MOSFET半导体封装件及相关方法在说明书摘要公布了：本发明题为“SICMOSFET半导体封装件及相关方法”。本发明公开了一种半导体封装件。半导体封装件的具体实施方式可以包括：一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯耦接在基架和夹具之间，该基架包括与一个或多个半导体管芯的栅极焊盘耦接的基架的栅极焊盘以及与一个或多个半导体管芯的源极焊盘耦接的基架的源极焊盘，其中基架的栅极焊盘延伸超出一个或多个半导体管芯的周边。

本发明授权SIC MOSFET半导体封装件及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯耦接在基架和夹具之间；以及第二半导体管芯，所述第二半导体管芯耦接在所述基架和所述夹具之间，所述基架包括：所述基架的第一栅极焊盘，所述基架的所述第一栅极焊盘与所述第一半导体管芯的栅极焊盘耦接；和所述基架的第二栅极焊盘，所述基架的所述第二栅极焊盘与所述第二半导体管芯的栅极焊盘耦接；所述基架的第一源极焊盘，所述基架的所述第一源极焊盘与所述第一半导体管芯的源极焊盘耦接；和所述基架的第二源极焊盘，所述基架的所述第二源极焊盘与所述第二半导体管芯的源极焊盘耦接；其中所述基架的所述第一源极焊盘朝向所述第一半导体管芯的所述栅极焊盘延伸超出所述第一半导体管芯的所述源极焊盘的周边；其中所述基架的所述第二源极焊盘朝向所述第二半导体管芯的所述栅极焊盘延伸超出所述第二半导体管芯的所述源极焊盘的周边；其中所述第一半导体管芯的所述栅极焊盘延伸超出所述基架的所述第一栅极焊盘的周边；其中所述第二半导体管芯的所述栅极焊盘延伸超出所述基架的所述第二栅极焊盘的周边；其中所述基架的所述第一栅极焊盘延伸超出所述第一半导体管芯的周边；并且其中所述基架的所述第二栅极焊盘延伸超出所述第二半导体管芯的周边。

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