恭喜朗姆研究公司吴惠荣获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112956026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980073253.2，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化是由吴惠荣;巴特·J·范施拉芬迪克;马克·直司·川口;格伦·古纳万;杰伊·E·厄格洛;纳格拉杰·尚卡尔;高里·钱纳·卡玛蒂;凯文·M·麦克劳克林;阿南达·K·巴纳基;杨家岭;约翰·霍昂;亚伦·林恩·罗赞;南森·马塞尔怀特;沈美华;索斯藤·贝恩德·莱尔;迟昊;尼古拉斯·多米尼克·阿尔铁里设计研发完成，并于2019-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化在说明书摘要公布了：本文提供用于形成包括含金属层的图案化多层堆叠件的方法。方法涉及在包括待稍后移除并用金属代替的一牺牲层的多层堆叠件中使用含硅的非金属材料，同时维持蚀刻对比度以图案化多层堆叠件并在沉积金属之前选择性移除牺牲层。方法涉及使用硅碳氧化物代替硅氮化物、以及使用牺牲非金属材料代替含金属层，以制造多层堆叠件、图案化该多层堆叠件、选择性移除牺牲非金属材料以在堆叠件中留下空间、并将含金属材料沉积至空间中。牺牲非金属材料包括硅氮化物和掺杂的多晶硅、例如掺杂硼的硅。
本发明授权用于高深宽比图案化和竖直缩放的膜堆叠简化在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置的方法，其包含：提供半导体衬底；沉积具有至少三种不同材料的无金属多层堆叠件，所述三种不同材料中的至少一者是牺牲层；在具有所述至少三种不同材料的所述无金属多层堆叠件中蚀刻出沟槽或通孔；使所述无金属多层堆叠件中的所述沟槽或通孔的侧壁中的介电材料内凹；相对于所述无金属多层堆叠件的其他材料而选择性蚀刻所述牺牲层，以在所述无金属多层堆叠件的多个层之间形成至少一个空间：以及在所述至少一个空间中沉积金属，以形成在其中蚀刻有沟槽或通孔的含金属多层堆叠件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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