恭喜广东致能半导体有限公司黎子兰获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东致能半导体有限公司申请的专利一种具有高耐压能力的高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910822403.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有高耐压能力的高电子迁移率晶体管是由黎子兰设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高耐压能力的高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种高耐压高电子迁移率晶体管HEMT。高耐压高电子迁移率晶体管，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、P‑型氮化物半导体层、衬底；P‑型氮化物半导体层位于势垒层和衬底之间，其不足以显著耗尽除栅堆垛外的沟道中的二维电子气，且源电极与P‑型氮化物半导体层电接触，源电极与漏电极都与二维电子气电接触。
本发明授权一种具有高耐压能力的高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、P-型氮化物半导体层、衬底；P-型氮化物半导体层位于势垒层和衬底之间，其不足以显著耗尽除栅堆垛外的沟道中的二维电子气，且源电极与P-型氮化物半导体层电接触，源电极与漏电极都与二维电子气电接触；所述P-型氮化物半导体层通过选区侧向外延生长而成；所述P-型氮化物半导体层在选区侧向外延生长靠近预设漏电极的部分时轻掺杂或不掺杂，所述轻掺杂的掺杂浓度在2E18cm3以下；P-型氮化物半导体层至少部分位于源电极与栅电极以及栅电极与漏电极之间的区域；P-型氮化物半导体层包括强P-型掺杂区域和P-型氮化物半导体层区域，其中强P-型掺杂区域位于栅电极和或源电极下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东致能半导体有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区宝兴路6号海纳百川总部大厦A座3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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