恭喜RNR实验室公司柳正道获国家专利权
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龙图腾网恭喜RNR实验室公司申请的专利半导体设备制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112913001B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980065509.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体设备制造方法是由柳正道设计研发完成，并于2019-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备制造方法在说明书摘要公布了：半导体设备制造方法包括：包括：提供基板的步骤；在上述基板上形成绝缘层的步骤；对上述绝缘层进行蚀刻来形成露出上述基板的开口部的步骤；在上述开口部内及上述绝缘层上形成接触插塞的步骤；在上述接触插塞上形成金属层的步骤；以及向上述金属层照射激光的步骤。
本发明授权半导体设备制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备制造方法，其特征在于，包括：提供基板的步骤；在上述基板上形成绝缘层的步骤；对上述绝缘层进行蚀刻来形成露出上述基板的开口部的步骤；在上述开口部内及上述绝缘层上形成接触插塞的步骤，其中上述接触插塞设置于上述开口部之内和上述绝缘层的上表面之上；在上述接触插塞上形成金属层的步骤，使得上述金属层设置于上述开口部之外；向上述金属层照射激光的步骤；以及移除上述金属层的步骤；其中用上述激光照射上述金属层的步骤包含通过直接加热上述金属层来间接加热上述接触插塞，以去除上述接触插塞中的空隙或接缝，其中上述方法还包括在上述接触插塞与上述金属层之间形成插入层，以防止上述金属层和上述接触插塞之间发生反应或相互扩散，并且在上述插入层和上述金属层设置在上述接触插塞上的状态下进行上述金属层照射激光的步骤，其中，上述接触插塞包含多晶硅，其中，上述插入层包含SiO2，其中，上述金属层被激光加热至2000℃至3000℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人RNR实验室公司，其通讯地址为：韩国首尔冠岳区冠岳路1海东学术馆32-1洞2层(新林洞)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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