恭喜台湾积体电路制造股份有限公司宋福庭获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910772690.5，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法是由宋福庭;闵仲强;曾元泰设计研发完成，并于2019-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法在说明书摘要公布了：一些实施例涉及一种存储器元件。所述存储器元件包括上覆在底部电极上的顶部电极。数据储存层上覆在所述底部电极上。所述底部电极托住所述数据储层的下侧。所述顶部电极上覆在所述数据储存层上。所述底部电极的顶表面与所述顶部电极的顶表面对齐。
本发明授权存储器元件、可编程金属化单元及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器元件，包括：底部电极，包括中心底部电极区及外围底部电极区，所述外围底部电极区从所述中心底部电极区向上延伸；数据储存层，上覆在所述底部电极上，其中所述底部电极的上表面托住所述数据储存层的下侧；顶部电极，上覆在所述数据储存层上，其中所述数据储存层的上表面托住所述顶部电极的下侧且所述数据储存层将所述顶部电极与所述底部电极隔开，其中所述底部电极的顶表面与所述顶部电极的顶表面高于所述数据储存层的顶表面，且其中所述顶部电极的侧壁包括位在弯曲段上的在一高度处的倾斜段。
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