恭喜源芯半导体股份有限公司陈志豪获国家专利权
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龙图腾网恭喜源芯半导体股份有限公司申请的专利具有二极管及硅控整流器的半导体元件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111952299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910680914.X,技术领域涉及:H10D89/60;该发明授权具有二极管及硅控整流器的半导体元件是由陈志豪设计研发完成,并于2019-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有二极管及硅控整流器的半导体元件在说明书摘要公布了:本发明提供一种具有二极管及硅控整流器的半导体元件,包括:具有第一导电型的基底、具有第二导电型的阱区、具有第一导电型的第一掺杂区以及具有第二导电型的第二掺杂区。阱区设置于基底中。第一掺杂区设置于基底中。第二掺杂区设置于基底中。阱区与第一掺杂区形成第一PN结,阱区与基底形成第二PN结,基底与第二掺杂区形成第三PN结。第一PN结、第二PN结及第三PN结形成硅控整流器,且第一掺杂区与第三PN结形成二极管。
本发明授权具有二极管及硅控整流器的半导体元件在权利要求书中公布了:1.一种具有二极管及硅控整流器的半导体元件,其特征在于,包括:基底,具有第一导电型;阱区,具有第二导电型,且设置于所述基底中;第一掺杂区,具有所述第一导电型,且设置于所述基底中;以及第二掺杂区,具有所述第二导电型,且设置于所述基底中,其中所述阱区与所述第一掺杂区形成第一PN结,所述阱区与所述基底形成第二PN结,所述基底与所述第二掺杂区形成第三PN结,其中所述第一PN结、所述第二PN结及所述第三PN结形成所述硅控整流器,且所述第一掺杂区与所述第三PN结连接以形成所述二极管,其中所述硅控整流器与所述二极管并联耦接。
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