恭喜朗姆研究公司巴德里·N·瓦拉达拉简获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利使用含硅和含碳前体的基于远程等离子体的碳化硅膜沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112514030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980049654.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权使用含硅和含碳前体的基于远程等离子体的碳化硅膜沉积是由巴德里·N·瓦拉达拉简;马修·斯科特·韦默;加尔博卡·赫瓦格·拉扬·萨维特拉;龚波;桂喆设计研发完成，并于2019-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用含硅和含碳前体的基于远程等离子体的碳化硅膜沉积在说明书摘要公布了：可以使用远程等离子体化学气相沉积CVD技术沉积经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜。将一种或多种含硅前体提供至反应室。以实质上低能态或基态提供自由基物质，例如氢的自由基物质，并且其与一种或多种含硅前体相互作用以沉积碳化硅膜。含碳前体可以与一种或多种含硅前体一起流动，其中该含碳前体具有一或更多个碳‑碳双键或三键，且每一含硅前体为具有至少一个硅原子的基于硅烷的前体，其具有两或更多个的与该硅原子键合的氢原子。
本发明授权使用含硅和含碳前体的基于远程等离子体的碳化硅膜沉积在权利要求书中公布了：1.一种在衬底上沉积碳化硅膜的方法，所述方法包含：在反应室中提供衬底；使含硅前体流入所述反应室中并朝向所述衬底流动，其中所述含硅前体具有至少两个与硅原子键合的氢原子；使含碳前体与所述含硅前体一起沿着不暴露到等离子体的流动路径流入所述反应室中，其中所述含硅前体和所述含碳前体通过远程等离子体源下游的一或多个气体出口流入所述反应室中，其中所述含碳前体为具有一或更多个碳-碳双键或三键的烃分子；在所述远程等离子体源中由氢源气体产生氢的自由基，所述氢的自由基是在所述含硅前体和所述含碳前体的上游产生；以及将所述氢的自由基引入所述反应室中并导向所述衬底，其中所述氢的自由基处于基态以与所述含硅前体以及所述含碳前体进行反应，从而在所述衬底上形成经掺杂或未经掺杂的碳化硅膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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