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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110797306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910331372.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件及其制造方法是由金煐勋;梁在锡;李海王设计研发完成，并于2019-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括基板，基板具有沿第二方向交替布置的单元区域和电力区域。栅极结构沿第二方向延伸。栅极结构沿与第二方向垂直的第一方向彼此间隔开。接合层布置在每个栅极结构的两侧。接合层沿第二方向布置，使得每个接合层具有靠近电力区域的平坦部分。切割图案布置在电力区域中。切割图案沿第一方向延伸，使得相邻单元区域中的每个栅极结构和每个接合层通过切割图案彼此分离。

本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：基板，包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域设置在所述第一区域和所述第三区域之间；第一鳍，设置在所述基板的所述第一区域上；第二鳍，设置在所述基板的所述第一区域上；第三鳍，设置在所述基板的所述第三区域上；第四鳍，设置在所述基板的所述第三区域上；第一隔离物，设置在所述基板的所述第一区域上，并设置在所述第一鳍与所述第二鳍之间；第二隔离物，设置在所述基板上，并设置在所述第二鳍与所述第三鳍之间；第三隔离物，设置在所述基板的所述第三区域上，并设置在所述第三鳍与所述第四鳍之间；第一栅极，设置在所述第一鳍、所述第二鳍、所述第一隔离物及所述第二隔离物上；第二栅极，设置在所述第三鳍、所述第四鳍、所述第二隔离物及所述第三隔离物上；第三栅极，设置在所述第一鳍、所述第二鳍、所述第一隔离物及所述第二隔离物上；第四栅极，设置在所述第三鳍、所述第四鳍、所述第二隔离物及所述第三隔离物上；第一外延源漏极，设置在所述第一鳍上，并设置在所述第一栅极与所述第三栅极之间；第二外延源漏极，设置在所述第二鳍上，并设置在所述第一栅极与所述第三栅极之间；第三外延源漏极，设置在所述第三鳍上，并设置在所述第二栅极与所述第四栅极之间；第四外延源漏极，设置在所述第四鳍上，并设置在所述第二栅极与所述第四栅极之间；第一接触部，设置在所述第一外延源漏极上；第二接触部，设置在所述第二外延源漏极上；第三接触部，设置在所述第三外延源漏极上；第四接触部，设置在所述第四外延源漏极上；第一绝缘图案，设置在所述第一隔离物上，并设置在所述第一接触部与所述第二接触部之间和在所述第一外延源漏极与所述第二外延源漏极之间；第二绝缘图案，设置在所述第三隔离物上，并设置在所述第三接触部与所述第四接触部之间和在所述第三外延源漏极与所述第四外延源漏极之间；切割图案，设置在所述第二隔离物上；以及电力轨，设置在所述切割图案上，其中所述切割图案设置在所述第一栅极与所述第二栅极之间、在所述第三栅极与所述第四栅极之间、在所述第二外延源漏极与所述第三外延源漏极之间、以及在所述第二接触部与所述第三接触部之间，所述切割图案设置在所述基板的所述第二区域上，所述第一外延源漏极、所述第二外延源漏极、所述第三外延源漏极和所述第四外延源漏极中的每一个相对于与所述基板垂直的竖直中心线是非对称成形的，以及所述电力轨的底面设置为高于所述第一栅极的顶面。

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